GaAs 반도체 재료의 에너지 밴드 갭이 1.4eV일 때, 이를 광선의 파장으로 변환하기 위해서 다음 공식을 사용합니다: 파장(λ) = 1240/eV (에너지). 따라서, 1240/1.4 ≈ 886nm로 계산됩니다. 이 값은 선택지 중에서 2번에 해당하므로 정답입니다.