MOSFET의 총 커패시턴스 \( C \)는 산화막 커패시턴스 \( C_{OX} \)와 공핍층 커패시턴스 \( C_S \)의 병렬 조합으로 계산됩니다. 이들 커패시턴스의 결합식은 \( C = \frac{C_{OX} C_S}{C_{OX} + C_S} \)로 나타낼 수 있으며, 이는 전기 회로 이론에서 병렬 커패시턴스의 일반적인 계산 방법과 일치합니다. 따라서 정답은 1번입니다.