이 문제에서 정답인 '2. 래치업(Latch-up)'은 nMOS와 pMOS 트랜지스터의 상호 결합으로 인해 발생할 수 있는 상황입니다. 이 상태에서는 전류가 지속적으로 흐르게 되어 회로가 비정상적으로 동작하게 됩니다. 이는 Vdd와 Vss 사이에 전류가 순환하는 형태로 전기적 단락이 발생하여 회로의 손상을 초래할 수 있습니다. 따라서, 이러한 현상은 CMOS 설계 시 주의를 요합니다.