MOS 구조에서 게이트 전압 \( V_{GS} \)가 기판 전압 \( V_{BS} \)보다 클 때, 실리콘 표면에 전자가 모여 형성되는 현상은 반전층(inversion layer)입니다. 이는 P형 반도체에서 전자가 주입됨으로써 반전층이 형성되어 전도성을 증가시키는 결과를 가져옵니다. 따라서 정답은 3번 반전층입니다.