MOS 트랜지스터에서 게이트의 커패시턴스 \( C_G \)는 게이트의 길이 \( L \), 폭 \( W \), 그리고 산화막의 두께 \( T_{ox} \)에 따라 달라집니다. 정답인 선택지 '2'는 이것을 잘 설명하고 있으며, 커패시턴스는 면적에 비례하고 두께에 반비례하는 관계를 명확히 나타냅니다. 즉, \( C_G = \frac{WL}{T_{ox}} \)의 형태로, \( C_{ox} \)를 포함하지 않으면서도 이론적으로 바른 관계를 제시합니다.