정답이 '3'인 이유는 샤프트부에서 Si의 환원 반응이 잘 일어나지 않기 때문입니다. Si는 고온에서 환원되기 쉬운데, 샤프트부의 조건에서는 환원 반응이 불리하게 작용하여 환원 속도가 느려집니다. 따라서 이 설명이 Si의 환원 반응에 대한 가장 정확한 설명입니다.